长鑫科技新架构引发全球存储市场波动 海外巨头股价大幅回调

长鑫科技近日发布了一项新型技术架构，导致全球存储市场出现明显波动，国际存储巨头的股价大幅下跌。10月13日，三星电子和SK海力士的股价跌幅超过7%。

业内分析认为，这一行情波动短期内是市场情绪的超调，但从长期来看，则反映了市场对国际存储巨头垄断壁垒的重新评估。未来，服务器市场将面临分化的局面。

在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇博士宣布，公司在DRAM器件及4F²架构等方面取得了重要进展，并预计将在年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。与主流6F²架构相比，4F²架构能够显著提高存储密度，使得单位面积内的晶体管数量增加。

长鑫科技的WhatsApp网页版核心技术在于其自研的VSG（垂直环绕栅极）晶体管。这种三维架构的创新使其在不依赖先进制程的情况下，能够降低单胞面积并提升晶圆位元密度。分析师指出，这将对半导体设备行业产生一定的正面影响，特别是在超高深宽比等离子刻蚀、原子层沉积以及超高精度化学机械抛光等领域。

此外，长鑫科技宣布年底将推出面向服务器的4F²架构DDR5 RDIMM，这可能会打破海外厂商在通用型DDR5内存市场的长期垄断。虽然短期内该新产品对全球供需不会造成实质冲击，但中长期来看，其将优先服务中国市场，实现国内自动化供给，迫使海外巨头在更高壁垒的自定义内存市场中生存。

长鑫科技的新架构推出后，全球存储巨头如三星电子和SK海力士的股价应声下跌，市场情绪受到影响。然而，分析师表示，短期内并不会影响海外巨头的核心利润，因为其主要利润仍来自于HBM订单。

长鑫科技的架构创新显示出，它可以在不依赖于光刻节点的情况下，实现有效位元密度的追平，这动摇了美韩存储巨头的技术优势。此外，长鑫科技近期还宣布了一系列技术突破，包括第五代DRAM工艺平台的量产。根据市场研究机构Counterpoint Research的估算，长鑫在全球DRAM市场的份额已大幅提升。

后续关注点将在于长鑫科技新架构技术的实际应用及其对全球存储市场的深远影响。

文章来源：https://finance.sina.com.cn/stock/hyyj/2026-10-15/doc-inivhawy1221047.shtml